SK Hynix kembangkan memori DRAM HDM3E tercepat di dunia, cocok untuk komputasi AI

SK Hynix telah meluncurkan inovasi DRAM terbarunya, memori HBM3E, produk inovatif yang dirancang khusus untuk aplikasi AI. Pengumuman ini mengukuhkan dominasi perusahaan di sektor memori berkinerja sangat tinggi. Sampel sudah didistribusikan ke pelanggan untuk verifikasi kinerja, dan produksi massal dimulai pada semester pertama tahun depan.

HBM (High Bandwidth Memory) mengacu pada tumpukan beberapa chip DRAM yang disusun secara vertikal, yang sangat meningkatkan kecepatan pemrosesan data. Evolusi HBM DRAM telah terlihat kemajuannya dari HBM generasi pertama hingga HBM3E generasi kelima terbaru. Khususnya, HBM3E merupakan peningkatan dari pendahulunya, HBM3.

Dengan sejarah panjang mereka dalam produksi HBM, SK Hynix mengomentari rilis tersebut, “Sebagai produsen eksklusif HBM3, pengembangan HBM3E paling unggul di dunia yang kami lakukan menunjukkan keahlian dan komitmen kami yang mendalam untuk memimpin pasar memori AI.” Perusahaan memiliki rencana untuk memulai produksi massal memori mutakhir ini pada paruh pertama tahun depan.

Dilansir dari Gizmochina (22/8), HBM3E menawarkan kecepatan pemrosesan data yang luar biasa sebesar 1,15 TB/s. Singkatnya, ini mampu menangani 230 film full high-definition (FHD), masing-masing berukuran 5 GB, hanya dalam satu detik.

Selain kecepatannya, produk ini menggunakan teknologi Advanced MR-MUF terbaru, yang meningkatkan pembuangan panas sebesar 10% dibandingkan generasi sebelumnya. Selain itu, HBM3E dirancang dengan backward compatibility. Fitur ini memungkinkan transisi yang mulus bagi pelanggan, memungkinkan integrasi HBM3E ke dalam sistem berbasis HBM3 yang ada tanpa memerlukan perubahan desain apa pun.