Meski ada sanksi AS, SMIC tetap nekat bikin chip 3nm canggih

Produsen chip Tiongkok SMIC sedang mengembangkan proses fabrikasi 3nm meskipun terdapat kesulitan peralatan utama yang disebabkan oleh sanksi AS. Pembuat chip tersebut telah dilarang mengakses peralatan produksi chip canggih dari penjual AS.

SMIC dikabarkan telah mengembangkan teknologi proses kelas 7nm generasi ke-2 yang dapat digunakan untuk memproduksi prosesor ponsel pintar. Laporan baru menyatakan bahwa SMIC sedang melakukan penelitian pada teknologi proses kelas 5nm dan 3nm.

Dilansir dari Gizmochina (24/12), penelitian ini dilakukan sendiri oleh tim R&D SMIC. Tim ini dipimpin oleh co-CEO Liang Mong-Song, seorang ilmuwan semikonduktor terkenal. Pemimpin tim itu pernah bertugas di TSMC dan Samsung. Dia dinilai sebagai salah satu pemikir paling cemerlang di industri semikonduktor.

Berita ini cukup memberi pelajaran bahwa rezim sanksi AS belum mampu sepenuhnya menghentikan kemajuan SMC dalam mengembangkan chip canggih di luar proses 7nm. Hal ini mungkin telah memperlambat perusahaan secara serius, tetapi terdapat kombinasi beberapa faktor yang mendukung perusahaan dalam mengatasi tantangan tersebut.

SMIC saat ini merupakan pembuat kontrak chip terbesar kelima di industri. Perusahaan ini kehilangan akses terhadap alat pembuat wafer terdepan yang sangat membatasi kemampuannya untuk mengadopsi teknologi proses baru. Akibat sanksi tersebut, SMIC tidak bisa mendapatkan alat litografi ultraviolet ekstrim (EUV) dari ASML. Namun ia hanya mengandalkan litografi ultraviolet dalam (DUV) untuk node kelas 7 nm generasi kedua.

Mesin litografi ASML Twinscan NXT:2000i adalah alat terbaik yang tersedia untuk SMIC saat ini. Mereka dapat mengetsa resolusi produksi hingga 38nm. Tingkat presisinya memadai untuk mencetak pitch logam 38nm menggunakan pola ganda untuk node kelas 7nm. Nada logam menyusut menjadi 30-32nm pada 5nm dan 21-24nm pada 3nm, menurut AML dan IMEC.

Multi-pola adalah pilihan lain untuk mencapai ukuran fitur ultra-kecil yang dapat menghilangkan penggunaan EUV. Ini adalah proses rumit yang memperpanjang waktu siklus dan dapat mempengaruhi hasil, serta merusak peralatan fabrikasi.

Implikasi biaya untuk multi-pola juga cukup tinggi. SMIC menggunakan pola rangkap tiga, empat kali lipat, atau terkadang, lima kali lipat untuk mencapai resolusi yang lebih rendah. Desain proses fabrikasi kelas 3nm khusus DUV merupakan tonggak penting bagi SMIC.