Samsung kembangkan DRAM DDR5 12nm
Samsung dikabarkan telah mengembangkan next-gen 12nm-Class DDR5 DRAM yang mampu memberikan kecepatan pin hingga 7,2 Gbps.
Samsung dikabarkan tengah mengembangkan next-gen 12nm-Class DDR5 DRAM yang mampu menghasilkan kecepatan hingga 7,2 Gbps. Berdasarkan press peleasenya (20/12), Samsung bekerja sama dengan AMD untuk mengembangkan produk terbaru ini.
Dilansir dari Wccftech (20/12), teknologi ini memungkinkan material high-k yang meningkatkan kapasitas cell, dan desain teknologi eksklusif yang meningkatkan karakteristik critical circuit.
Produk ini juga dikombinasikan dengan multi-layer extreme ultraviolet (EUV) lithography, DRAM baru yang menampilkan highest die density, yang memungkinkan peningkatan sebesar 20 persen dalam wafer.
DDR5 terbaru milik Samsung, DRAM 12nm, mampu membuka kecepatan hingga 7,2 gigabit per detik (GBPS). Ini berarti dapat memproses video UHD 30 gigabyte (GB) hanya dalam satu detik. DRAM terbaru ini juga mengkonsumsi daya 23 persen lebih sedikit daripada DRAM sebelumnya.
DRAM kelas 12nm ini akan menjadi solusi ideal bagi perusahaan IT global yang memiliki tujuan yang lebih ramah lingkungan. Produk Samsung ini akan diproduksi massal pada 2023. Samsung berencana untuk memperluas jajaran DRAM mereka dengan teknologi kelas 12nm ke berbagai segmen pasar.
