Samsung produksi massal DRAM baru untuk proses AI dalam perangkat

Samsung mengumumkan telah memulai produksi massal paket DRAM LPDDR5X 12 GB dan 16 GB kelas 12 nanometer (nm) “tertipis di industri”. Pengembangan ini diharapkan dapat memperkuat kepemimpinan perusahaan di pasar DRAM berdaya rendah.

Dengan perkembangan ini, perusahaan berencana untuk memperluas bisnisnya di pasar DRAM berdaya rendah dengan memasok DRAM LPDDR5X 0,65 mm terbarunya kepada produsen prosesor mobile dan produsen perangkat.

Dilansir dari Gizmochina (7/8), Samsung telah mampu menghadirkan paket DRAM LPDDR5X ultra-tipis yang dapat mengemas lebih banyak kapasitas dalam volume tertentu. Dilaporkan juga ia menawarkan kontrol termal yang lebih baik, sebuah faktor yang menjadi semakin penting, terutama untuk aplikasi berkinerja tinggi, contohnya adalah pemrosesan AI pada perangkat.

Berbicara tentang pemrosesan AI pada perangkat, perusahaan tersebut saat ini dikabarkan tengah berupaya memperluas Galaxy AI-nya di luar seri S kelas atas dan meluncurkannya ke perangkat seri A tertentu, mulai tahun ini.

“DRAM LPDDR5X Samsung menetapkan standar baru untuk solusi AI pada perangkat berkinerja tinggi, yang tidak hanya menawarkan kinerja LPDDR yang unggul tetapi juga manajemen termal tingkat lanjut dalam paket yang sangat ringkas,” kata YongCheol Bae, Wakil Presiden Eksekutif Perencanaan Produk Memori di Samsung Electronics. “Kami berkomitmen untuk terus berinovasi melalui kerja sama yang erat dengan para pelanggan, memberikan solusi yang memenuhi kebutuhan masa depan pasar DRAM berdaya rendah.”

Dengan paket DRAM LPDDR5X yang baru, Samsung akan menawarkan DRAM LPDDR kelas 12 nm tertipis di industri dalam struktur 4 tumpukan. Menurut perusahaan, ketebalannya akan berkurang sekitar 9% dan ketahanan panasnya akan meningkat sekitar 21,2%, dibandingkan dengan generasi sebelumnya.

Perusahaan asal Korea Selatan itu juga mencatat bahwa mereka telah berhasil membuat paket DRAM LPDDR5X yang baru “setipis kuku” dengan ketebalan 0,65 milimeter, yang kabarnya merupakan yang tertipis di antara DRAM LPDDR 12 GB ke atas. Mereka menggunakan proses back-lapping yang ‘dioptimalkan’ (penggerindaan sisi belakang wafer) untuk mengurangi ketebalan paket DRAM.